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Erfindung
Russische Föderation Patent RU2292610

VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG phototransformator

VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG phototransformator

Name des Erfinders: Samsonenko Boris (RU); Pelipenko Boris Fjodorowitsch (RU); Razuvaylo Sergey (RU)
Der Name des Patentinhabers: Open Joint Stock Company "Saturn"
Korrespondenzanschrift: 350072, Krasnodar, ul. So 6, "Saturn"
Startdatum des Patents: 2005.09.22

Verbrauch: für die Herstellung von Geräten, die Licht in elektrische Energie umwandeln. Das technische Ergebnis der Erfindung ist es, die Qualität der persönlichen Kontakte photoconverter zu verbessern, indem die Haftung zu erhöhen und den Übergangswiderstand zu reduzieren. Das erfindungsgemässe Verfahren zur Herstellung von auf einem Substrat photoconverter Struktur Halbleiterwafer ist n-Ge, n-GaAs - Pufferschicht, n-GaAs - Basisschicht, p-GaAs - Emitterschicht, p + -GaAlAs Breitschicht Kontaktschicht -GaAs p + wird die Schichtabscheidung durchgeführt Kontakt Metallisierung auf der Rückplatte, eine Schutzschicht aus Photolack gebildet wird, hinteren Kontaktelektrochemischen Silberabscheidung zu erhöhen, die Entfernung von Photoresist-Ablagerung von aufeinanderfolgenden Schichten der Kontakt Metallisierung von Chrom 200 ÷ 400 Å dick, Palladium 200 ÷ 500 Å dicke Silber Dicke von 500 ÷ 1500 Å, die Schaffung der PR-Maske ein Kontaktmuster, Kontaktfähigkeit elektrochemischen Silberabscheidung, Photoresist-Entfernung, Blutungen gespritzten Schichten der Kontaktmetallisierung durch Ionenstrahlätzen, Wärmebehandlung der Platte, eine PR-Maske mit einem Bildfenster auf photoconverter Umfang zu schaffen Schichten aus Galliumarsenid auf dem Germaniumsubstrat Ätzen, Entfernen des Photolacks, Blutungen p + -GaAs - Schicht außerhalb der Kontaktbereiche und die Anwendung der anti-reflektiven Beschichtung. nacheinander gesprüht Kontaktschichten der Verchromung bei einer Temperatur von 300 ÷ 350 Å, Palladium und Silber, bei einer Temperatur von 200 ÷ 250 Å nach der Abscheidung der Schicht Kontaktmetallisierung auf der Rückplatte und wärmebehandelt wird. Nach dem Entfernen des Photoresistmaskenmusters wegzuätzen Schichten der Kontakte Silber und Palladium durch Ionenstrahl - Ätzen der Chromschicht , um die Chromschicht in einer wässrigen Lösung von Chlorwasserstoffsäure zu entfernen, und nach dem Ätzen auf den Schichten aus Galliumarsenid und Germanium Substrate Entfernen von Photolack, wegzuätzen p + -GaAs - Schicht durch Außenkontaktbereiche in einer wässrigen Lösung von Citronensäure-Kaliumhydrogencitrat und Wasserstoffperoxid bei einer Temperatur von 40 ÷ 50 ° C

BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG

Die Erfindung bezieht sich auf elektrische Geräte, insbesondere auf Halbleitervorrichtungen, nämlich photovoltaischen Wandler.

Verfahren zur Herstellung eines Verbindungsmetalls (Japanese Patent №3346794, publ. 11.18.02), die das auf dem Wafer mit einem Film abgeschieden Zwischenisolationsschichten durch Magnetron-Sputtern von Titan, Molybdän und Kupfer in der Tatsache besteht. Als nächstes wird eine Schutzmaske bilden, und reaktives Ionenätzen der abgeschiedenen Schichten durchzuführen.

Ein Nachteil des obigen Verfahrens besteht darin, dass bei der Herstellung von ohmschen Kontakten müssen Abscheidung von Metallen auf der Halbleiteroberfläche photoconverter, entsteht ein Problem, bei dem eine präzise Ätzung an der Metallanschlag - Halbleiter.

Schilder über analoge gemeinsam mit dem vorgeschlagenen Verfahren umfassen: Dreischicht-Metallisierung Spritzen, eine Schutzmaske zu schaffen, Ionen außerhalb der Kontaktflächen aufgebracht Metallisierungsschichten bluten.

Bekannte Verfahren zum selektiven Ätzen der Gate - Bereich zu n + -GaAs - Schicht aus Al 0,2 Ga 0,8 Als die Herstellung von Transistoren pseudomorphes (Jap.J. Appl. Phys. V.39 (2000), S. 1, №8, p. 4699-4703 «hochselektive GaAs / Al 0,2 Ga 0,8 Als Nassätzprozesses für die Gate - Vertiefung von Niederspannungs - - Strom pseudomorphe Hoch - Spannung - Leistung Mobility Transistor).

Bei diesem Verfahren wird das Ätzen von n + -GaAs Subkontaktblock Schicht 1400 Å dicke Schicht aus niedrig legiertem bis n - Al 0,2 Ga 0,8 Wie bei einer Temperatur von 23 ÷ 25 ° C in einer wässrigen Lösung von Zitronensäure, Zitronensäure Kalium Wasserstoffperoxid durchgeführt ( 0,5 M) C 6 H 8 O 7 · H 2 O ÷ (0,5 M) K 3 C 6 H 5 O 7 · H 2 O = 5 ÷ ÷ 5 1.5.

Als nächstes wird ein Gate auf der Oberfläche der Al 0,2 Ga 0,8 Wie erstellen.

Ein Nachteil des obigen Verfahrens besteht darin , dass die Herstellung von Solarzellen mit Halbleiterstrukturen p + -GaAs / p + -GaAlAs / n-GaAs / n-Ge Ätzen der Kontaktschicht auf der Maske Chromium -GaAs p + - Palladium - Silber (Cr / Pd / Ag ) bei Raumtemperatur praktisch nicht vorhanden. Bei längerer Exposition in der Lösung führt zu einer Oxidation und Trübung von Silberkontakten und den Abbau von Photovoltaik-Parameter.

Das Vorzeichen der obigen analogen gemeinsamen mit dem vorgeschlagenen Verfahren ist die selektive Entlüftung Subkontaktblock Halbleiterschicht zu dem p + -GaAs shirokozonnogo GaAlAs - Schicht in einer Lösung aus Citronensäure-Kaliumhydrogencitrat und Wasser.

Ein Verfahren zur Herstellung eines photoconverter (RF Patent №2244986, veröffentlicht 20.05.05.), Und nahm als der Prototyp besteht in der Tatsache, dass die Waferstruktur: n-Ge-Substrat, n-GaAs-Pufferschicht, n-GaAs-Basisschicht, p -GaAs - Emitterschicht und p + -GaAlAsBreitschicht Kontaktschicht -GaAs p + wird eine Schicht aus Siliziumdioxid, eine Kontaktmetallisierung Schicht auf der Rückplatte aufgesprüht, die ferner eine Schutzschicht auf der Photoresist - Schicht aus Siliziumdioxid gebildet wird und dann die hintere Kontaktelektrochemische Abscheidung von Silber aufgebaut, nach dem Entfernen der Photoresistlackmaske mit Fenstern über den Kontaktflächen photoconverter, dann wegätzen der Schicht aus Siliziumdioxid in den Fenstern nach dem Entfernen des Photolacks erzeugen sequentiell Schichten der Kontaktmetallisierung aus Chrom gesprüht wird 200 ÷ 400 Å dicke Palladium 200 ÷ 500 Å Dicke von Silber mit einer Dicke von 500 ÷ 1.500 Å, nach der Gründung der PR-Maske mit einem Muster von Kontakten Kontakte elektrochemische Abscheidung von Silber und eine Schutzschicht aus Nickel steigen, nachdem der Photoresist-Gruben abgeschiedenen Schichten der Kontaktmetallisierung durch Ionenstrahlätzen, wärmebehandelte Platte, zu entfernen und dann eine Photoresist-Maske mit einem Muster von Fenstern auf photoconverter schaffen Umfang Schicht aus Siliziumdioxid wird dann entfernt Fenster, dann die Schichten aus Galliumarsenid auf das Ge-Substrat geätzt wird, wurde nach dem Entfernen der Photoresistschicht aus Siliziumdioxid entfernt und p + -GaAs-Kontaktschicht außerhalb der Regionen Beschichtung aufgebracht wird nach dem Ätzen AR.

Der Nachteil des Prototyps Verfahrens ist, dass die Wärmebehandlung bei 450 ° C verdickten galvanisch Plankontakt thermische Belastung an der Metall-Halbleiterübergang und einen Widerstandsanstieg verursacht.

Symptome Prototyp Merkmale gemeinsam mit dem vorgeschlagenen Verfahren, die folgenden: Kontaktmetallisierung Plattierungsschicht auf der Rückplatte; eine schützende Photoresist-Schicht; Rückkontakt elektrochemische Abscheidung von Silber zu bauen; Entfernen des Photoresists; Ablagerung von aufeinanderfolgenden Schichten der Kontakt Metallisierung von Chrom 200 ÷ 400 Å dicke Palladium Dicke 200 ÷ 500 Å dicken Silber 500 ÷ 1500 Å; die Herstellung von Kontakten mit dem Photoresist Maskenmuster; Kontakt Kapazität elektrochemische Abscheidung von Silber; Entfernen des Photoresists; Drainschichten Kontaktmetallisierung durch Ionenstrahlätzen abgeschieden ist; eine Platte der Wärmebehandlung zu halten; die Schaffung der PR-Maske mit einem Muster von Fenstern auf dem Umfang photoconverter; Ätzen der Schichten aus Galliumarsenid auf das Germaniumsubstrat; Entfernen des Photoresists; bluten p + -GaAs - Schicht außerhalb der Kontaktflächen; Aufbringen einer Anti-Reflexionsbeschichtung.

Das technische Ergebnis im vorliegenden Verfahren erreicht wird, ist die Qualität der Gesichtskontakt photoconverter zu verbessern, indem die Haftung zu verbessern und Übergangswiderstand durch Ablagerung auf unbeschichteten Platte Kontaktschichten aus Chrom bei einer Temperatur von 300 ÷ 350 ° C, Palladium, Silber zu reduzieren, - bei einer Temperatur von 200 ÷ 250 ° C .

Oben technische Ergebnis wird dadurch erreicht , daß in dem vorgeschlagenen Verfahren zur Herstellung photoconverter Waferstruktur mit n-Ge - Substrat, n-GaAs - Pufferschicht, n-GaAs - Basisschicht p-GaAs - Emitterschicht, p + -GaAlAs Breitschicht, p + - GaAs-Kontaktschicht auf der Rückplatte, die eine Beschichtungsschicht der Kontaktmetallisierung, umfassend eine Schutzschicht aus Photoresist gebildet wird, die Erhöhung der Rückkontakt durch elektrochemische Abscheidung von Silber, das Entfernen des Photolacks, Ablagerung von aufeinanderfolgenden Schichten der Kontaktmetallisierung an Chrom 200 ÷ 400 Å dicken Palladium 200 ÷ 500 Å Dicke von Silber mit einer Dicke von 500 ÷ 1500 Å, die Schaffung der PR-Maske mit einem Muster von Kontakten, bauen Kontakte elektrochemischen Silberabscheidung, Photoresist-Entfernung, Blutungen gespritzten Schichten der Kontaktmetallisierung durch Ionenstrahlätzen, Wärmebehandlung der Platte, eine PR-Maske mit einem Bildfenster auf photoconverter Umfang zu schaffen Ätzen Schichten aus Galliumarsenid Germanium Substrat, das Entfernen der Photoresist - Drain p + -GaAs - Kontaktschicht außerhalb der Regionen mit AR - Beschichtung Abscheidung, nach der Abscheidung von Kontakt Metallisierungsschicht auf der hinteren Platte und bei 300 ÷ 350 ° C nacheinander gesprüht Kontaktschichten der Verchromung wärmebehandelt, Palladium, Silber, bei einer Temperatur 200 ÷ 250 ° C, nachdem das Foto Entfernen Abdeckmaske Kontakte gemustert wegzuätzen Schichten von Silber und Palladium durch Ionenstrahlätzen zu Chromschicht weiter entfernten Schicht aus Chrom in einer wässrigen Lösung von Chlorwasserstoffsäure, und dann Ätzen der Schichten aus Galliumarsenid auf einem Germaniumsubstrat und Photoresist zu entfernen, wegzuätzen p + -GaAs - Kontaktschicht außerhalb der Regionen in einer wässrigen Lösung von Citronensäure-Kaliumhydrogencitrat und Wasserstoffperoxid bei einer Temperatur von 40 ÷ 50 ° C

Durch Erhitzen der Platte wenigstens 300 ° C Kontakt Haftung an der Halbleiteroberfläche verschlechtert, verringert sich die Festigkeit der Schweißverbindung mit externen Leitungen.

Heizplatte über 350 ° C ist nicht praktikabel, da thermische Spannungen auf die Erzeugung von Defekten auf der Oberfläche der epitaktischen Schicht führen, um die Effizienz des photoconverter reduzieren.

Bei dem vorgeschlagenen Verfahren stellt die Verchromung Schichtkontakte bei der Tempertemperatur auf der Platte 300 ÷ 350 ° C eine starke Haftung und einen niedrigen Kontaktwiderstand Kontakt. Eine dünne Schicht aus Chrom, nahe dem thermischen Ausdehnungskoeffizienten von GaAs ist, in diesem Temperaturbereich verursacht keine signifikante thermische Belastung und Degradation photoconverter Parameter. Haftung nachfolgender Schichten aus Palladium und Silber und Chrom miteinander bei wesentlich niedrigeren Temperaturen von 200 ÷ 250 ° C erreicht ist, bleibt die Gesamtkonzentration geringer thermischer Belastung.

Kontaktschichten aus Chrom, Palladium und Silber ist, ohne die schützende dielektrische Schicht auf die freiliegende Oberfläche der Platte aufgesprüht. Um von den Auswirkungen der Halbleiterschicht aus Chromionen schützen verwendet. Die Rate der Ionenätzen von Palladium und Silber im wesentlichen (~ 5-mal) größer als Chrom, die zuverlässig das Ätzen in der darunter liegenden Schicht zu stoppen, auch wenn eine große ungleichmäßige Strömung von Ionen. Anschließend geätzt Chrom, ohne dass chemisch, auf den Nickelsilberkontakten, die Schutzschicht für die Anwendung.

Bei dem vorgeschlagenen Verfahren verdickt (7 ÷ 8 Mikron) selbstjustierte Kontakte werden unter Verwendung einer Photolithographie ausgebildet, ohne zusätzliche Schutzschichten aus dielektrischem und Nickel, die den Prozessablauf wesentlich vereinfacht.

Entfernung von p + -GaAs - Kontaktschicht in einer wässrigen Lösung von Citronensäure-Kaliumhydrogencitrat und Wasserstoffperoxid bei erhöhter Temperatur von 40 ÷ 50 ° C ermöglicht eine schnelle Ätzung der Halbleiter (~ 2 min), ohne die Silberkontakte beeinflussen.

Wenn die Lösungstemperatur weniger als 40 ° C erhöht die Ätzung p + -GaAs - Schicht 30 min, was unerwünscht ist, da die photoconverter Parameter verschlechtern. Bei einer Lösungstemperatur von 50 ° C reduziert Selektivität Entfernen p + -GaAs - Schicht darunter liegende Drain Breit GaAlAs - Schicht verschlechtert photoconverter Parameter (Kurzschlussstrom, Leerlaufspannung).

Die Merkmale, so dass die Zeile des vorgeschlagenen Verfahrens das Kriterium "Neuheit", wie folgt: nachdem der Kontakt Metallisierungsschicht Abscheidung auf der Rückseite des wärmebehandelten Platte; sequentielles gesputterten Schichten Verchromung der Kontakt bei einer Temperatur von 300 ÷ 350 ° C, Silber und Palladium, bei einer Temperatur von 200 ÷ 250 ° C; wegzuätzen Schichten von Silber und Palladium durch Ionenstrahlätzen zu Chromschicht; Chromschicht wird in einer wässrigen Lösung von Salzsäure entfernt; belüftete p + -GaAs - Kontaktschicht außerhalb Bereiche in einer wässrigen Lösung von Citronensäure-Kaliumhydrogencitrat und Wasserstoffperoxid bei einer Temperatur von 40 ÷ 50 ° C

Um zu beweisen, dass das vorgeschlagene Verfahren zur Einhaltung des Kriteriums "erfinderischen Tätigkeit" wurde durch die Gesamtheit der Merkmale analysiert und individuell ausgeprägt. Es wurde festgestellt, dass die Verwendung der oben genannten Unterscheidungsmerkmale, die die Qualität der persönlichen Kontakte photoconverter bei der Verbesserung durch die Haftung zu erhöhen und verringern den Übergangswiderstand nicht gefunden wird in der Literatur in Verbindung mit den bekannten Merkmalen der oben genannte technische Ergebnis liefern besteht. Daher sind die Autoren nach, das Verfahren zur Herstellung photoconverter erfüllt das Kriterium der "Erfindungshöhe".

Das vorgeschlagene Herstellungsverfahren photoconverter in 1 veranschaulicht ÷ 4.

VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG phototransformator VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG phototransformator
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1 - Wafer;

2 - Kontakt Metallisierungsschichten Palladium-Silber-napilennye auf der Rückplatte;

3 - Silberschicht galvanisch auf der Rückseite der Platte aufgewachsen;

4 - Kontakt Metallisierungsschichten aus Chrom - Palladium - Silber;

5, 6 - galvanisch aufgewachsene Schicht von Gesichts-Kontakte und Silber photoconverter Shunt-Diode sind;

7 - mesa Nut um den Umfang des aktiven Bereichs photoconverter mit Bypass-Diode;

8 - Anti-Reflexbeschichtung.

Als ein Beispiel des Verfahrens wird ein Halbleiterwaferstruktur mit n-Ge - Substrat unter Verwendung von n-GaAs - Pufferschicht, n-GaAs - Basisschicht, p-GaAs - Emitterschicht, p + -GaAlAs Breitschicht -GaAs - Kontaktschicht p +.

Aufgesprüht mit einer Kontaktschicht aus Palladium-Silber-Metallisierung auf der Rückplatte. Die Dicke der Palladiumschicht ~ 400 Å, ~ 1000 Å Silber. Alternativ kann es zu einer Legierung aus Gold-Germanium ~ 0,15 Mikrometer dick aufgetragen werden. Ohne Entfernen Platin aus der Sputterkammer Installation, einer Wärmebehandlung bei einer Temperatur von ca. 450 ° C, t = 30 s, im Vakuum, ist es erforderlich, den Übergangswiderstand Rückkontakt zu verringern.

Dann wird bei 350 ° C auf der Vorderseite der Platten Kontaktmetallisierung Schichten aus Chrom gesprüht, Silber und Palladium, bei einer Temperatur von 250 ° C. Sputtering unmittelbar auf der gesamten Oberfläche des Halbleiterdurchgeführt.

Die Dicken der abgeschiedenen Schichten von ~ 300 Å Chrom, ~ 400 Å Palladium, ~ 1000 Å Silber.

Die Sputterbedingungen Chromschichtdicke von weniger als 200 Å ist unpraktisch aufgrund der Diffusion durch Palladium. Chromschichtdicke von mehr als 400 Å ist unerwünscht wegen der erhöhten Kontaktwiderstand sequentiell. Palladium Schicht für die Klebebinderschichten aus Chrom und Silber erforderlich. Wenn die Dicke der Palladiumschicht weniger als 200 Å Bündel aufgrund der Interdiffusion von Silber und Palladium nicht vorgesehen ist, mit einer Dicke von mehr als 500 Å Edelmetallverbrauch ist unproduktiv. Wenn die Silberschichtdicken von weniger als 500 Å Haftung von Galvanik Schlamm verschlechtert, mit den Silberschichtdicken von mehr als 1500 Å Metallverbrauch ist unproduktiv.

Chrom-Haftschicht auf die Kontaktfläche des Halbleiterwafers mit steigender Temperatur zunimmt. Der optimale Temperaturbereich 300 ÷ 350 ° C Zur gleichen Zeit einen Witz Frontkontakt-Metallisierung durchgeführt erforderlich, um den Übergangswiderstand Metall zu reduzieren - Halbleiter. Bei Temperaturen von weniger als 300 ° C verschlechtert sich die Haftung Kontaktmetallisierung. Temperaturen über 350 ° C nach einer durchgehenden Schicht aus Metallisierung unerwünscht, da dünne epitaktische Schichten von GaAs Anwendung sind empfindlicher gegenüber thermischer Belastung als mit Germaniumsubstrat verglichen. Schwellen mit Oberflächendefekte verschlechtern Parameter photoconverter.

Abscheidung von Palladium und Silber - Schichten während der Kühlplatte 250 ° C durchgeführt wird, ist es ratsam , die thermischen Spannungen in der Beschichtung zu reduzieren, weil die Wärmeausdehnungskoeffizienten von Palladium und Silber (10,6 · 10 -6 K -1 und 19,2 · 10 -6K -1) ist viel höher als der Chrom und Galliumarsenid (jeweils 6,6 × 10 -6 K -1 und 5,82 x 10 -6 K -1).

eine Schutzschicht aus Photoresist Als nächstes erstellen. Verwenden Sie Photoresist-AF-4-04-T. Stepping der hinteren Kontaktelektrochemische Abscheidung von Silber auf. Die Dicke der abgelagerten Schicht 7 Mikron. Capacity-Rückkontakt in der Anfangsphase der Herstellung photoconverter geben die notwendige Festigkeit spröde Platte. Der Photoresist wird in Dimethylformamid (siehe Fig. 1) entfernt.

Erstellen Sie eine Fotomaske mit einem Muster von persönlichen Kontakten und photoconverter Laufdiode widerstehen. Verwenden Sie Photoresist-AF-4-04-T. Wärmebehandlung: Trocknung 100 ° C, t = 2 h. Manifestation von 1% iger Kalilauge (KOH), gefolgt von Waschen in 0,5% KOH und entionisiertes Wasser. Alternativ kann eine Maske zu schaffen, in der Schutzschicht aus Photoresist auf der Vorderseite der Platte nach der Plattierung Kapazität des Rückkontakt verwendet werden, wodurch der Verbrauch von Photoresist Reduktions, hat aber hohe Anforderungen an Solidität und chemische Beständigkeit der Schutzschicht. Erhöhung Weitere Gesichtskontakt elektrochemische Abscheidung von Silber. Auf diese Platte auf der Rückseite des starren Trägers angeordnet ist, festzuklemmen, an dem der Oberflächenspannungskräfte der Lösung durchgeführt. Abscheidung auf der Rückseite, wenn dies auftritt. Galvanische Pellet 7 Mikron dick hat eine dichte feinkörniges Gefüge. Der Photoresist wird (siehe Fig. 2) entfernt.

Next Pits abgeschiedenen Schichten aus Silber und Palladium durch Ionenstrahl Ätzmaske galvanisch verdickt Kontakte. Somit ist die Chromschicht, deren Sputter-Rate ist signifikant (~ v 5 mal) als die gesamte Schicht aus Palladium, Silber und bleibt auf der Waferoberfläche durch Exposition gegenüber den Halbleiterargonionen geschützt. Verwenden Sie die Ionenquelle II-4-0,15 "Radical", den Modus kombiniert schnelle und langsame Ätzen,

U = 1000, t = 20 min, U = 600, t = 5 min r ~ 8 × 10 -2 mmHg

Entfernung von Palladium und Silberschichten durch chemische Ätzflüssigkeit ist nicht akzeptabel, als eine erste belüftete elektrochemisch abgeschiedenen Silberschicht aufgrund viel höhere Ätzrate in Bezug auf seine thermischen Spritzschicht.

Entfernen der Schicht aus Chrom in einer wässrigen Lösung von Salzsäure HCl ÷ H 2 O = 1 ÷ 1. Das Ätzen wird durch Berühren der Aluminiumdraht an die Klemmen photoconverter eingeleitet. Auswirkungen auf das Silber, Palladium und Halbleiterschicht p + -GaAs so auftritt.

Erstellen Sie ein Fotoresist-Maske mit einem Bildfenster auf dem aktiven Bereich und dem Kontakt Umfang photoconverter Laufdiode. Ätzt Schichten von Galliumarsenid auf der Germaniumsubstrat. Diese elektrisch isolierende photoconverter Gesichts-Kontakte und die Shunt-Diode. Eine wässrige Lösung aus Phosphorsäure und Wasserstoffperoxid - Zusammensetzung: H 3 PO 4 (85%) ÷ H 2 O 2 (30%) ÷ H 2 O = 4 ÷ 2 ÷ 1. Ätzzeit t = 15 min. Der Photoresist wird in Dimethylformamid (siehe Fig. 3) entfernt.

Belüftete p + -GaAs - Kontaktschicht außerhalb der Regionen photoconverter in einer wässrigen Lösung von Citronensäure-Kaliumhydrogencitrat und Wasserstoffperoxid - Zusammensetzung (1M) C 6 H 8 O 7 · H 2 O ÷ (1M) K 3 C 6 H 5 O 7 · H 2 O ÷ H 2 O 2 (30%) = 2 ÷ 2 ÷ 1.

Das Ätzen wird bei einer Lösungstemperatur von 45 ° C durchgeführt, die die Entfernung von p + -GaAs Dicke gewährleistet ~ 0,2 m für t = 2 min. Bei Raumtemperatur (~ 25 ° C) ist wesentlich langsamer Ätzung in ~ 10 mal, was zu einer Verdunkelung der Silberkontakten und Degradation photoconverter Parametern. Bei höheren Temperaturen C, über 50 ° deutlich Ätzselektivität reduziert, ist es unmöglich, rechtzeitig Ätzstopschicht GaAlAs machen.

Als nächstes wird eine Antireflexionsbeschichtung aufgebracht, wodurch die Fläche photoconverter Kontakte und Diode Maskieren zum Schweißen von externen Leitungen.

Laserschneiden und Trennen Wafer in Chips ist auf der metallisierten Rückseite durchgeführt, was und mechanische Beschädigung der geteilten Teile verhindert Abplatzen (siehe Fig. 4).

Das vorgeschlagene Herstellungsverfahren bietet eine photoconverter Kontakte mit guter Haftung und einer geringen Widerstand Übergang, da die Kontaktschicht aus Verchromung bei einer hohen Temperatur auf der Platte 300 ÷ 350 ° C durchgeführt wird Zugleich ist es ein Witz Gesicht Kontakte.

Verdickte Kontakte Cr / Pd / Ag sind selbstausgerichtet gebildet eines photolithographischen Vorgang verwendet wird.

Stromquelle in der elektrochemischen Kapazität der Kontakte durch die durchgehende Metallschicht durchgeführt, die eine hohe Gleichmäßigkeit der Abscheidung auf großen Durchmesser Wafern zur Verfügung stellt.

Lonenstrahl Schichten aus Silber und Palladium auf Chromschicht Blutungen eliminiert die Notwendigkeit für eine Schutzschicht aus Nickel aufgebracht wird.

Moulded Kontakte haben eine klare Kantengeometrie.

Elektrische Leistung der Kontakte nur dort, wo es erforderlich ist, den Verbrauch an Edelmetall zu reduzieren.

FORDERUNGEN

Photoconverter Herstellungsverfahren für eine Struktur Halbleiterscheibe mit n-Ge - Substrat, n-GaAs - Pufferschicht, n-GaAs - Basisschicht p-GaAs - Emitterschicht, p + -GaAlAs Breitschicht p + -GaAs - Kontaktschicht mit einem Kontakt Metallisierungsschicht Aufsprühen an der hinteren Platte, um eine Schutzschicht aus Photoresist gebildet wird, hinteren Kontaktelektrochemischen Silberabscheidung, Entfernen von Photoresistabscheidung von aufeinanderfolgenden Schichten der Kontaktmetallisierung Chromdicke 200 ÷ 400 Å, Palladium Dicke von 200 ÷ 500 Å, Silber Dicke von 500 ÷ 1500 Å, die Schaffung der PR-Maske mit einem Muster zunehmender Kontakt, Kontaktkapazität elektrochemischen Silberabscheidung, Photoresistentfernung, gespritzten Schichten der Kontaktmetallisierung durch Ionenstrahlätzen Ausbluten, Wärmebehandlung der Platte, eine PR - Maske mit einem Bildfenster auf photoconverter Umfang Schaffung Schichten aus Galliumarsenid auf das Germaniumsubstrat Ätzen, Entfernen des Photoresists, Blutungen p + - GaAs-Schicht außerhalb der Kontaktbereiche, eine Antireflexionsbeschichtung Anwendung, daß nach der Kontakt Metallisierungsschicht Abscheidung auf der Rückseite wärmebehandelte Platte gekennzeichnet ist bei einer Temperatur von 300 ÷ 350 ° C, Palladium und Silber, bei einer Temperatur von 200 ÷ 250 ° C nacheinander Schichten der Kontaktmetallisierung aus Chrom gesprüht Säure-Kalium aus Zitronensäure in einer wässrigen Lösung aus Hydrogencitrat und Wasserstoffperoxid, Kontaktmetallisierung Schichten abgeschieden durch Ionenstrahlätzen Drain mit der Chromschicht durchgeführt wird, wird die Chromschicht in einer wässrigen Lösung von Chlorwasserstoffsäure entfernt , und p + -GaAs - Kontaktschicht bluten außerhalb der Regionen durchgeführt wird bei Temperatur 40 ÷ 50 ° C

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Erscheinungsdatum 17.02.2007gg