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Erfindung
Russische Föderation Patent RU2292608
Speichergerät elektrische Ladung AUF DER GRUNDLAGE DER ELECTRON PUMP, Struktur der Halbleiter - Metall - Halbleiter
Name des Erfinders: Sinelnikov Boris (RU); Kargin Nikolay Ivanovich (RU); Pagnuev Yuri Ivanovich (RU); Mitarbeiter Edward V. (RU); Mitarbeiter Alexander (RU); Whistlers Igor
Der Name des Patentinhabers: Staatliche Bildungseinrichtung der höheren Berufsbildung "Nord-Kaukasus State Technical University"
Korrespondenzanschrift: 355029, Stawropol, Kulakov Ave., 2, NCSTU
Startdatum des Patents: 2005.03.28
Die Erfindung betrifft elektrische Ladungsspeicherquellen und kann als ein elektrischer Energiespeicher eingesetzt werden. EFFEKT: Größenreduzierung, Vereinfachung der Fertigungstechnik, erhöhen das Volumen der akkumulierten Energie. Gemäß der Erfindung wird die elektrische Ladungsspeichereinrichtung einen Emitter ohmschen Kontakt, eine Halbleiterschicht des Emitters, der Basis-Metallschicht, eine Halbleiterkollektorschicht (bei der Ladungsakkumulations auftritt), der Kollektor ohmschen Kontakt aufweist. Auf der Basis dieser Struktur ist eine elektronische Pumpe implementiert, dh ein Elektron einen Halbleiterbereich der anderen Pumpe; wodurch eine die Ladungsansammlung in Abhängigkeit von der Zahl der injizierten Elektronen.
BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
Die Erfindung betrifft elektrische Ladungsspeicherquellen und kann als ein elektrischer Energiespeicher eingesetzt werden.
Das nächste Analogon dieser Vorrichtung ist eine elektrochemische Speicherung von elektrischer Energie (RF-Zertifikat für Gebrauchsmuster №2101807, Kl.6 H 01 G 9/004). Elektrochemische Speicherung von elektrischer Energie besteht aus zwei Elektroden mit einer porösen Struktur des Verstärkungsmetallschwamm 0,2-2,0 mm dick, mit Kohlepulver mit hoher spezifischer Oberfläche gefüllt ist, durch einen porösen Separator getrennt. Separator maximale Porengröße geringer als die minimale Partikelgröße von Kohlepulver.
Die Nachteile eines solchen Elementes sind: 1) die relativ große Größe; 2) eine relativ geringe Anzahl von Ladezyklen (dies ist aufgrund der Zerstörung der Arbeitsschichten); 3) die Speicherzeit der gespeicherten Energie ist begrenzt Verschiebung und Vernichtung von entgegengesetzt geladenen Teilchen (Kohlepulver).
Das technische Ergebnis erzielt, wenn die beanspruchte Erfindung implementiert ist wie folgt: 1) Verringerung der Größe; 2) Vereinfachung der Fertigungstechnik; 3) die Möglichkeit der Schaffung einer planaren (zweidimensionalen) oder volumetrischen (dreidimensional) Matrizen, die stark die Menge der akkumulierten Energie erhöhen würde; 4) erhöhen die Lagerzeit der gespeicherten Energie; 5) Erhöhung der Anzahl der Ladezyklen; 6) die Möglichkeit, aus Quellen der Aufladung, die wenig Energie ausreichend zu erregen und zu tragen mindestens eine elektronen emittieren. Die Sources der Lade kann eine Quelle der Energieerzeugung, Fotoelemente und sogar Thermoelement und andere Elemente, die auf das Auftreten von EMF zwischen Regionen basieren einen Temperaturgradienten aufweist.
Gesagt technische Ergebnis dadurch erreicht, daß die Speichervorrichtung der elektrischen Ladung auf der Basis der elektronischen Pumpenstruktur des Halbleiter-Metall-Halbleiter (FSP) aus den folgenden Schichten besteht: einen ohmschen Kontakt Emitter, einen Halbleiteremitterschicht, eine Metallgrundschicht, eine Halbleiterschicht ein Kollektor ohmschen Kontakt Sammler. Auf der Basis dieser Struktur ist eine elektronische Pumpe implementiert, dh ein Elektron einen Halbleiterbereich der anderen Pumpe; wodurch eine die Ladungsansammlung in Abhängigkeit von der Zahl der injizierten Elektronen.
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Die Zeichnung zeigt eine geschichtete Struktur aus der Anhäufung von elektrischer Ladung auf der Basis einer elektronischen Vorrichtung der Pumpe, die Struktur des Halbleiter-Metall-Halbleiter. Die Zeichnung zeigt eine Schichtstruktur der elektrischen Ladungsspeichereinrichtung, die 1 eines ohmschen Emitterkontakt besteht, der Emitter der Halbleiterschicht 2, die Metallbasisschicht 3, eine Halbleiterkollektorschicht 4, der ohmsche Kontakt 5 Reservoir. |
Die akkumulierte Ladung ist wie folgt
Die Elektronen werden durch das elektrische Feld an der Emitterzone 2, überwinden 3 potentialMetall Loch aufgebracht beschleunigt und fliegen in die Kollektorzone 4, an die keine Spannung angelegt ist, das heißt, es ist -. "Suspended" Als Ergebnis ist der Kollektorbereich 4 gibt die Elektronendichte, der Überschuß über seine eigenen, die die Ansammlung der elektrischen Ladung in dem Gerät verursacht.
FORDERUNGEN
Vorrichtung Anhäufung von elektrischer Ladung auf der Basis der elektronischen Pumpenstruktur Halbleiter - Metall - Halbleiter, bestehend aus einem ohmschen Kontakt Emitter, einer Halbleiterschicht Emitters Metallgrundschicht, eine Halbleiterkollektorschicht kommt es zu einer Kumulation Ladungskollektor ohmschen Kontakt, dadurch gekennzeichnet, dass auf der Grundlage Struktur Halbleiter - Metall - Halbleiter-Charge-System in einer Weise implementiert akkumulieren, die emiterny Injektionsschicht ist, und Kollektorschicht ist an der Basis mit Metallkontakten angereichert, wo es eine Ansammlung von überschüssiger Ladung ist, abhängig von der Anzahl der injizierten Elektronen.
Druckversion
Erscheinungsdatum 16.02.2007gg
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